GBT 31472-2015 X 光电子能谱中荷电控制和荷电基准技术标准指南

GBT 31472-2015 X 光电子能谱中荷电控制和荷电基准技术标准指南

X射线光电子能谱用于固体材料表面元素组成和元素化合态的测试与表征，通过某一元素结合能的细微变化可获得该元素化合态信息。对于绝缘样品表面，X光激发的光电子发射会导致表面正电荷积累，改变表面电势，因此使测得的光电子谱峰位向高结合能偏移。表面感生电荷的数量、在样品表面的分布及其与试验条件的依赖关系决定于许多因素，包括样品成分、样品的均匀性、表面电导率、总光致电离截面、表面形貌、激发X光的特殊空间分布、中和电子等。荷电积累是发生在样品表面和材料内部的三维现象。本标准描述了各种已经或即将用于采集和解析绝缘样品表面的X射线光电子能谱数据的荷电控制与针对荷电偏移的校正方法，目的是通过控制荷电积累，校正由于表面充电引起的结合能飘移，以得到有意义且可重现的绝缘样品的测试数据。

范围：本标准规定了X射线光电子能谱（XPS）的荷电控制和荷电基准技术。本标准适用于XPS荷电控制和荷电定位技术，不适用于其他电子激发系统。

发布时间：2015-05-15   实施时间：2016-01-01

颁发部门：国家质量监督检验检疫总局

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